Электронные телефоны

| Пятница Сентябрь 17 2010 17:45 | Комментарии отключены

Выборка ИМС со стороны ЦП осуществляется сигналом CS, который формируется этим узлом из сигналов управления.
Реализован на элементах: D1.4, VD22, VD23, R39, VT3, VD34, R47, С14, С15, VD4, VD3 GB1.
Этот узел собран на дискретных элементах и относится к одному из самых «узких» мест в конструкции АОНа.
На этот узел возлагаются три основные функции:
1. Формирует сигнал CS по заданным сигналам управления.
2. Обеспечивает сохранность информации.
При отключении источника питания заряженный по цепи I конденсатор С15 начинает разряжаться (II) на ОЗУ, тем самым, поддерживая необходимый потенциал (min 2,5V) для хранения информации.
При использовании конденсаторов с малыми токами утечки или большой емкости время хранения информации может составлять от нескольких часов до нескольких суток. Батарея питания позволяет полностью исключить возможность пропадания информации ОЗУ, поддерживая потенциал питания ИМС ОЗУ при пропадании питающего напряжения. Следует отметить, что каскад батарей должен обеспечивать напряжение не менее 2,5V. Обычно устанавливают 2 батареи по 1,5V, соединяя их последовательно.
3. Предотвращает выход из строя ОЗУ.

Микросхема ОЗУ К537РУ10 обладает одним плохим свойством: если на входе CS продолжительное время присутствует логический «О» при поданном напряжении питания (т.е. ИМС выбрана), то ОЗУ быстро выходит из строя. Поэтому, подключение дополнительного источника к коллектору VT5 через резистор R7 исключает возможность выхода из строя ИМС (внешнее проявление – сильный разогрев корпуса). Без этого технического решения не удавалось обеспечить удовлетворительную надежность работы ИМС ОЗУ в схеме АОНа.
Остановимся более подробно на работе отдельных элементов этого узла.
Работа каскада формирования выборки ОЗУ определяется протеканием тока по цепи II: Ucc-R39-VD17-A13. На выходе инвертора – высокий потенциал, поэтому ток I не оказывает влияния на работу узла. Потенциал на базе VT3, определяемый Ц составляет 0,5-0.7 V в зависимости от типа диода (германиевые – 0,5-0,6; кремниевые – 0,6-0,7). При использовании диода в эмиттерной цепи VT3 (как правило, кремниевого) потенциала между базой и эмиттером VT3 (0-0,2 V) недостаточно, чтобы ток I открыл транзистор VT3, следовательно, транзистор закрыт, на его коллекторе протеканием тока II устанавливается потенциал логической «1″. Выбора ОЗУ не происходит. Рекомендуем в базу VT3 устанавливать германиевые диоды (типа Д9) – VD16 и VD17 (при использовании диод в эмиттерной цепи VT3 может и не понадобиться), в случае установки кремниевых диодов – установка кремниевого диода типа КД521 (КД522) VD22 – обязательна. Суть рекомендации в том, что диод VD22 обеспечивает надежное запирание транзистора VT3. К этому необходимо прибегать, учитывая, что используемые кремниевые диоды в цепи базы имеют большое сопротивление прямого р-n перехода и создаваемое за счет этого большое падение напряжения при отсутствии VD22 становится достаточным для открывания VT3 и ложного формирования сигнала выборки ОЗУ. Считанные данные накладываются на данные, которые в настоящее время считываются из других источников – происходит сбой.

Комментариев нет

Комментариев нет.

RSS feed.

Извините, обсуждение на данный момент закрыто.







Samsung Transform для Sprint Октябрь 2010

Знакомство с HTC 7 Surround (+видео) (upd) Октябрь 2010

Windows смартфон – Samsung Saga Октябрь 2010

Verizon начинают продажи iPad с поддержкой* CDMA-сетей Октябрь 2010

Самый лучший телефон в объятиях юных фотомоделей Октябрь 2010